首页产品中心艾普斯-IPS沉积设备ALD 原子层沉积系统ALD

原子层沉积系统ALD




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产品介绍


产品 · 参数

原子层沉积系统ALD



原子层沉积系统ALD.jpg

标准型(Standard )设备价格低、质量高、可任选附件进行搭配

结构简单,操作方便,后期维护简单易行用途广,适合各种基底材料

原子层沉积系统,ALD——扩展型(Flexivol)设备腔室体积可根据用户样品的尺寸灵活调节,同一腔室可通过简单的调节用于不同厚度的样品

增多前驱体源入口数目,避免腔室体积增大对前驱体化学源气氛分布的影响ALD原子层沉积系统——高度定制化(Non-Standard)设备为工业客户提供薄膜沉积方案放大基于标准研究型设备检验的相同技术根据客户的特殊需求,加工定制,满足特殊应用及大规模的生产需要

研发(R&D)服务



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产品配置


标准套件


多段温度控制

前驱体温控0-200 °C,精度1 °C

腔室温控0-300 °C ,精度1 °C

进出腔室管路温控0-150 °C ,精度1 °C

基本压强 10^−1/10^−3 mbar

设备尺寸 1000x600x1000 mm

触控控制系统

系统当前状态信息显示:气流速度、温度、压力和阀门开度等

工艺监控:温度和压力等

偏差报警和安全锁

菜单操作,实时监控

可增配选项

等离子体发生器 借助等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能

臭氧发生器 提供强氧化剂,增大ALD生长的前驱体选择范围

石英晶体微天平在线监测薄膜沉积的厚度







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